Práctica 2: Medida de la curva característica de un diodo

Laboratorio: Realización de las medidas experimentales.

2.1.-  Obtención de la tensión umbral de un diodo de Silicio.

Con la región de la caracteristica I-V correspondiente a  tensión de polarización positiva en el diodo se puede obtener la tensión umbral de conducción.

Para obtener esta región de la caracteristica IV, los pasos a seguir son:

1.- Pulse sobre la imagen para ver el circuito experimental que se va a utilizar. En el esquema, que aparece en una nueva ventana, identifique el diodo y observe que la resistencia  y la fuente de tensión del esquema inicial  se ha sustituido por una fuente de intensidad variable.  También se añade un voltímetro en los extermos  del diodo para  medir la tensión entre ámbos puntos.

NOTA: En este montaje la misión de la resistencia de proteccion queda implicita en la fuente de intensidad programable y debe ser en la programación de los valores de intensidad donde se debe tener la precaución de no superar la intensidad máxima que soporte el diodo.

2.- Programación de los valores experimentales: En el circuito que aparece se deben programar los valores de intensidad que se desean utilizar y que correspondan al diodo polarizado con tensión positiva. Para realizar esto:

3.- Realice la medida , pulsando sobre el boton medir, y observe la relación entre los valores de la intensidad genereda - que será la misma que circula a través del diodo - y los valores de la tensión medida entre los terminales del diodo.

4.- Guarde los valores de la intensidad que circula por el diodo y la tensión medida en extremos del mismo. Con el boton lista solo se puede visualizar todos los datos medidos. Eliga export List para que los datos se presenten en un nueva pagina Web donde ya será posible mediante copiar-pegar transferir los datos a cualquier otro programa que admita entrada ASCII, editor de texto, hoja de cálculo...

5.- Realice una representación gráfica  de intensidad frente a tensión con los valores anteriores: Característica I-V.

6.- Deduzca la tensión umbral de este diodo. ¿Qué valor esperaba sabiendo que el diodo es de silicio? ¿y si fuera de Ge?.

7.- La medida ha sido realizada en un dispositivo real. No es una simulación y por tanto pueden aparecer comportamientos no ideales.



 

2.2. Característica intensidad-tensión de un diodo Zener.  Obtención de la tensión de ruptura Zener

Complete la caracteristica I-V del diodo anterior para valores negativos de polarización del diodo y compruebe que es un diodo Zener. Siga los siguientes pasos:

9.- Pulse sobre la imagen para ver el circuito experimental que se va a utilizar. El esquema a utilizar para la medida es el mismo que en el apartado 2.1 salvo que la  fuente de intensidad variable permite en este caso la programación de intensidades negativas.

10.- Programación de los valores experimentales: En el circuito que aparece se deben programar los valores de intensidad que se desean utilizar y que correspondan al diodo polarizado con tensión negativa. Para realizar esto:

11.- Realice la medida y observe la relación entre los valores de intensidad genereda que circula a través del diodo y los valores de la tensión medida entre los terminales del mimo.

12.- Guarde los valores de la intensidad generada y la tensión medida en extremos del diodo.

13.-  Complete con las nuevas medidas la gráfica de los valores de intensidad frente a tensión: Característica I-V completa.

14.- Deduzca la tensión de ruptura Zener  de este diodo. ¿Qué pasaría si no fuera un diodo Zener?.

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Francisco.Gomez@uam.es
Fecha de última actualización: 11 de Enero del 2001